据*客户端报道，3月19日复旦大学修发贤团队在材料领域期刊《自然·材料》上发表新研究论文，论文名为《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》，该团队在论文中称已制备出二维体系中具有目前已知高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带。
报道称，修发贤团队新研制的砷化铌纳米带材料，电导率是铜薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。同时，区别于超导材料只能在零下几十度超低温下应用，新材料砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效。这一发现也为材料科学寻找高性能导体提供了一个可行思路，在降低电子器件能耗等方面有重大价值。
复旦大学物理学系教授修发贤称，我们的手机发热、电脑发热是有两个原因，晶体管本身的发热和电流流经这些（互连）导线所产生的导线发热，那我们现在要解决的问题就是导线的发热，我们的这个材料就可以在这一方面有所用途。
导电材料是电子工业的基础，现在主要的材料是铜，已大规模用于晶体管的互连导线。信息时代，计算机和智能设备体积越来越小，而当铜变得很薄，进入二维尺度时，电阻变大，导电性迅速变差，功耗大幅度增加。这也是制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。
